Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > 1N6476US
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2238246

1N6476US

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
250+
$10.904
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6476US
  • Hersteller / Marke
    Semtech
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    1N6476US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    51.6V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    78.5V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    54V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    G-MELF (D-5C)
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, G
  • Andere Namen
    1N6476USS
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    19A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "1N6476US" -Einziper.
1N6474

1N6474

Beschreibung: TVS DIODE 30.5VWM GPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6476

1N6476

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6478-E3/96

1N6478-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6479-E3/96

1N6479-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N6475

1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6474US

1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6478-E3/97

1N6478-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6476

1N6476

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6475US

1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N647UR-1

1N647UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6475US

1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6474US

1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N648-1

1N648-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6476US

1N6476US

Beschreibung: TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6475

1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.