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4809781N6478-E3/96-Bild.Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6478-E3/96

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6478-E3/96
  • Hersteller / Marke
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.1N6478-E3/96.pdf
    2.1N6478-E3/96.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-213AB
  • Serie
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    1N6478-E3/96
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 50V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    50V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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1N6479HE3/96

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6478HE3/97

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6474US

1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N647UR-1

1N647UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6478-E3/97

1N6478-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6476

1N6476

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6475

1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6475US

1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6476US

1N6476US

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6476

1N6476

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N648-1

1N648-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6474US

1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6476US

1N6476US

Beschreibung: TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6475

1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6480-E3/96

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
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1N6475US

1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC GMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
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1N6479-E3/96

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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