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4460470S1JBTR-Bild.Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

S1JBTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1JBTR
  • Hersteller / Marke
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S1JBTR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMB
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2.5µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    S1JBTRSMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SMB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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2024/11/14
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Das Folgende sind "S1JBTR" -Einziper.
S1JFSHMWG

S1JFSHMWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JFS MXG

S1JFS MXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JBHR5G

S1JBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JHE3/61T

S1JHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JFS MWG

S1JFS MWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JBHM4G

S1JBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1J-M3/5AT

S1J-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GPP 1A 600V DO-214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JB-13

S1JB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1J-M3/61T

S1J-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JHE3_A/H

S1JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JHE3/5AT

S1JHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JA-E3/5AT

S1JA-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JA-E3/61T

S1JA-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JB R5G

S1JB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JFSHMXG

S1JFSHMXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JHE

S1JHE

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD323HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1JB-13-F

S1JB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1JB M4G

S1JB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JFP

S1JFP

Beschreibung: DIODE GP 600V 1.2A SOD-123HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1JFL

S1JFL

Beschreibung: DIODE GP 600V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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