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4467571S1JB-13-Bild.Diodes Incorporated

S1JB-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1JB-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMB
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    3µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    1N4005W
    1N4005WDI
    1N4005WDITR
    S1JB
    S1JBDI
    S1JBDITR
    S1JBT
    S1JBTR
    S1JBTR-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SMB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    S1J
S1J-M3/5AT

S1J-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GPP 1A 600V DO-214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1J-E3/5AT

S1J-E3/5AT

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1J-M3/61T

S1J-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1JBHM4G

S1JBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1J-LTP

S1J-LTP

Beschreibung:

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
S1JFSHMWG

S1JFSHMWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1JFSHMXG

S1JFSHMXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1J-E3/61T

S1J-E3/61T

Beschreibung:

Hersteller: VISHAY
vorrätig
S1JFS MWG

S1JFS MWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1JA-E3/5AT

S1JA-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1JB R5G

S1JB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1JBTR

S1JBTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
S1JFP

S1JFP

Beschreibung: DIODE GP 600V 1.2A SOD-123HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
S1JB-13-F

S1JB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
S1JB M4G

S1JB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1JA-E3/61T

S1JA-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1JFL

S1JFL

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
S1J-E3/51T

S1J-E3/51T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1JFS MXG

S1JFS MXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1JBHR5G

S1JBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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