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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S1JBHR5G
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1605579S1JBHR5G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S1JBHR5G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1JBHR5G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S1JBHR5G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AA (SMB)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    12pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S1JBHR5G" -Einziper.
S1JFL

S1JFL

Beschreibung: DIODE GP 600V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1J-LTP

S1J-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S1JFS MXG

S1JFS MXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JFSHMXG

S1JFSHMXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JB-13

S1JB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1JFP

S1JFP

Beschreibung: DIODE GP 600V 1.2A SOD-123HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1JA-E3/61T

S1JA-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1J-M3/5AT

S1J-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GPP 1A 600V DO-214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JB R5G

S1JB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JFS MWG

S1JFS MWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JBTR

S1JBTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S1JFSHMWG

S1JFSHMWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JBHM4G

S1JBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1J-M3/61T

S1J-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JHE3/61T

S1JHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JB-13-F

S1JB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1JA-E3/5AT

S1JA-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JHE

S1JHE

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD323HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1JHE3/5AT

S1JHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JB M4G

S1JB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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