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Zuhause > Produkte > Optoelektronik > Laserdioden, Module > GH04P21A2GE
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3823232GH04P21A2GE-Bild.Sharp Microelectronics

GH04P21A2GE

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GH04P21A2GE
  • Hersteller / Marke
    Sharp Microelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    LASER DIODE 406NM 105MW TO18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GH04P21A2GE.pdf
  • ECAD -Modell
  • Wellenlänge
    406nm
  • Spannung - Eingang
    5.4V
  • Serie
    -
  • Leistung (W)
    105mW
  • Verpackung / Gehäuse
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Andere Namen
    425-2697
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Laser Diode 406nm 105mW 5.4V 150mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Aktuelle Bewertung
    150mA

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Zahlung
Das Folgende sind "GH04P21A2GE" -Einziper.
GH0781JA2C

GH0781JA2C

Beschreibung: LASER DIODE 784NM 120MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GH06510B2A

GH06510B2A

Beschreibung: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
DM80-01-3-8890-3-LC

DM80-01-3-8890-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1587NM 2.511MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
GH06550B2B

GH06550B2B

Beschreibung: LASER DIODE 654NM 50MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

Beschreibung: BARE LASER BAR

Hersteller: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
vorrätig
RFQ
DM80-01-1-8760-3-LC

DM80-01-1-8760-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1598NM 5.011MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
GH06507B2A

GH06507B2A

Beschreibung: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
VLM-532-43-LCB

VLM-532-43-LCB

Beschreibung: LASER DIODE 532NM 10MW 13MM DIA

Hersteller: Quarton, Inc.
vorrätig
RFQ
DM80-01-3-8700-3-LC

DM80-01-3-8700-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1603NM 2.511MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
VLM-650-26-LPA

VLM-650-26-LPA

Beschreibung: LASER DIODE 650NM 5MW

Hersteller: Quarton, Inc.
vorrätig
RFQ
HFE4191-441

HFE4191-441

Beschreibung: LASER DIODE 850NM 0.5MW TO46-3

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
GH06560B2C

GH06560B2C

Beschreibung: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
OPV240

OPV240

Beschreibung: LASER DIODE 850NM 4.5MW 3SMD

Hersteller: Optek Technology / TT Electronics
vorrätig
RFQ
DM200-01-1-9280-0-LC

DM200-01-1-9280-0-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1554NM 1.995MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
DM200-01-1-9320-0-LC

DM200-01-1-9320-0-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1552NM 1.995MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
GH04020B2A

GH04020B2A

Beschreibung: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
DM200-01-3-9310-0-LC

DM200-01-3-9310-0-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1552NM 1.995MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Beschreibung: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Hersteller: AVX Corporation
vorrätig
RFQ
NX7563JB-BC-AZ

NX7563JB-BC-AZ

Beschreibung: LASER DIODE 1550NM 135MW 14DIP

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
GH04125A2A

GH04125A2A

Beschreibung: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
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