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Zuhause > Produkte > Optoelektronik > Laserdioden, Module > GH06550B2B
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4306958GH06550B2B-Bild.Sharp Microelectronics

GH06550B2B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GH06550B2B
  • Hersteller / Marke
    Sharp Microelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    LASER DIODE 654NM 50MW TO18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GH06550B2B.pdf
  • ECAD -Modell
  • Wellenlänge
    654nm
  • Spannung - Eingang
    2.6V
  • Serie
    -
  • Leistung (W)
    50mW
  • Verpackung / Gehäuse
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Andere Namen
    425-1807
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Laser Diode 654nm 50mW 2.6V 80mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Aktuelle Bewertung
    80mA

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Das Folgende sind "GH06550B2B" -Einziper.
IF-HN20

IF-HN20

Beschreibung: LASER DIODE 633NM 2.5MW HOUSED

Hersteller: Industrial Fiber Optics, Inc.
vorrätig
RFQ
SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

Beschreibung: BARE LASER BAR

Hersteller: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
vorrätig
RFQ
015294

015294

Beschreibung: LASER MODULE 642NM 40MW

Hersteller: Excelitas Technologies
vorrätig
RFQ
GH04P21A2GE

GH04P21A2GE

Beschreibung: LASER DIODE 406NM 105MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
DM80-01-1-8990-3-LC

DM80-01-1-8990-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1579NM 5.011MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Beschreibung: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Hersteller: AVX Corporation
vorrätig
RFQ
GH0781JA2C

GH0781JA2C

Beschreibung: LASER DIODE 784NM 120MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
DM200-01-1-9220-0-LC

DM200-01-1-9220-0-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1559NM 1.995MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
GH06560B2C

GH06560B2C

Beschreibung: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GH04125A2A

GH04125A2A

Beschreibung: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GH06507B2A

GH06507B2A

Beschreibung: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
DM80-01-3-9260-3-LC

DM80-01-3-9260-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1557NM 2.511MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
DM80-01-1-9580-3-LC

DM80-01-1-9580-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1531NM 5.011MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
GH06510B2A

GH06510B2A

Beschreibung: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GH04020B2A

GH04020B2A

Beschreibung: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
VLM-650-01 LPA

VLM-650-01 LPA

Beschreibung: LASER DIODE 650NM 3MW 10.4MM DIA

Hersteller: Quarton, Inc.
vorrätig
RFQ
VLM-520-51 LPT

VLM-520-51 LPT

Beschreibung: LASER DIODE 520NM 1MW 8MM DIA

Hersteller: Quarton, Inc.
vorrätig
RFQ
MM6405I

MM6405I

Beschreibung: LASER DIODE 640NM 5MW 6.4MM DIA

Hersteller: US-Lasers, Inc.
vorrätig
RFQ
DM80-01-1-9520-3-LC

DM80-01-1-9520-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1536NM 5.011MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
DM80-01-3-8980-3-LC

DM80-01-3-8980-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1580NM 2.511MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
RFQ
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