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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 31DF4 A0G
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578692431DF4 A0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

31DF4 A0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    31DF4 A0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    31DF4 A0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-201AD
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AD, Axial
  • Andere Namen
    31DF4 A0G-ND
    31DF4A0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 3A Through Hole DO-201AD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    20µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "31DF4 A0G" -Einziper.
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
31DF4 R0G

31DF4 R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
5821SMJ/TR13

5821SMJ/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SS1P4L-M3/84A

SS1P4L-M3/84A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MUR1100ERLG

MUR1100ERLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BYW33-TR

BYW33-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 300V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
75HQ040

75HQ040

Beschreibung: SCHOTTKY DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
31D-2000T

31D-2000T

Beschreibung: INDCTR LIGHT

Hersteller: VCC (Visual Communications Company)
vorrätig
RFQ
S1JFP

S1JFP

Beschreibung: DIODE GP 600V 1.2A SOD-123HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STTH812G-TR

STTH812G-TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SR105HR1G

SR105HR1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DST3060DJF

DST3060DJF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V PDFN5X6-8L

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
31DF6 R0G

31DF6 R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG5JHC0G

UG5JHC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
APD240VD-E1

APD240VD-E1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
31DF6 B0G

31DF6 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
31DF4 B0G

31DF4 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-100BGQ030HF4

VS-100BGQ030HF4

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S15KC R7G

S15KC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 15A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
31DF6 A0G

31DF6 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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