Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 31DF6 B0G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
139042831DF6 B0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

31DF6 B0G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
12000+
$0.198
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    31DF6 B0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    31DF6 B0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-201AD
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AD, Axial
  • Andere Namen
    31DF6 B0G-ND
    31DF6B0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    20µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "31DF6 B0G" -Einziper.
31DF4 A0G

31DF4 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
CMOD4448 BK

CMOD4448 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
31DF6 A0G

31DF6 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
31DF6 R0G

31DF6 R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-20ETF04FP-M3

VS-20ETF04FP-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
31DF4 B0G

31DF4 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
B350B-13

B350B-13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
MBR840RL

MBR840RL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
EGP10AHE3/54

EGP10AHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SURA8160T3G

SURA8160T3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SK56L-TP

SK56L-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AB

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
JANS1N3595US

JANS1N3595US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
BYV27-150-TAP

BYV27-150-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
STBR6012WY

STBR6012WY

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STTH802G

STTH802G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
MBR20200FCTE3/TU

MBR20200FCTE3/TU

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20A 200V ITO220AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
BYS11-90-M3/TR3

BYS11-90-M3/TR3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
31D-2000T

31D-2000T

Beschreibung: INDCTR LIGHT

Hersteller: VCC (Visual Communications Company)
vorrätig
RFQ
PDU340-13

PDU340-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A POWERDI5

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
31DF4 R0G

31DF4 R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.