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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 31DF6 A0G
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457602231DF6 A0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

31DF6 A0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    31DF6 A0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    31DF6 A0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-201AD
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AD, Axial
  • Andere Namen
    31DF6 A0G-ND
    31DF6A0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    20µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "31DF6 A0G" -Einziper.
CURM105-G

CURM105-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A MINISMA

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
31DF6 B0G

31DF6 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAT41ZFILM

BAT41ZFILM

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD123

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VS-1N3893

VS-1N3893

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
31DF4 A0G

31DF4 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
31DF4 R0G

31DF4 R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
EG01V

EG01V

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
SS115L MHG

SS115L MHG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBRS320T3G

MBRS320T3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 4A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HFA135NH40

HFA135NH40

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 135A HALFPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
31DF4 B0G

31DF4 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-8EWH06FNTRR-M3

VS-8EWH06FNTRR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
EGP10F-E3/54

EGP10F-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
31DF6 R0G

31DF6 R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
JAN1N5552

JAN1N5552

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MB10H100HE3_A/P

MB10H100HE3_A/P

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SB260E-G

SB260E-G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO15

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
RU 4A

RU 4A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
TSSE3H60 RVG

TSSE3H60 RVG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
31D-2000T

31D-2000T

Beschreibung: INDCTR LIGHT

Hersteller: VCC (Visual Communications Company)
vorrätig
RFQ
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