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2427907ES1DHM2G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1DHM2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1DHM2G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1DHM2G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES1DHM2G" -Einziper.
ES1DHE3_A/I

ES1DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1DL R3G

ES1DL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL M2G

ES1DL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL MQG

ES1DL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL RHG

ES1DL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DHE3_A/H

ES1DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1D-M3/61T

ES1D-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1D-M3/5AT

ES1D-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1DL RTG

ES1DL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1D-TP

ES1D-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Co
vorrätig
RFQ
ES1DHE3/5AT

ES1DHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1DE-TP

ES1DE-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1D/1

ES1D/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1DAF

ES1DAF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1DL RFG

ES1DL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL MHG

ES1DL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL MTG

ES1DL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DHE3/61T

ES1DHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1DL RQG

ES1DL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL RUG

ES1DL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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