ES1DL RUG

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Spezifikation

Artikelnummer

ES1DL RUG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ES1DL RUG.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

200V
Supplier Device-Gehäuse

Sub SMA
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

35ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-219AB
Andere Namen

ES1DL RUG-ND
ES1DLRUG
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

21 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 200V 1A Surface Mount Sub SMA
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 200V
Strom - Richt (Io)

1A
Kapazität @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES1DL RUG" -Einziper.

ES1DL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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