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306552ES1DL RTG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1DL RTG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1DL RTG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1DL RTG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    ES1DL RTG-ND
    ES1DLRTG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 1V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES1DL RTG" -Einziper.
ES1DL RUG

ES1DL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHRHG

ES1DLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL R3G

ES1DL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL MQG

ES1DL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHMTG

ES1DLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DHE3_A/I

ES1DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1DL M2G

ES1DL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHMQG

ES1DLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL RQG

ES1DL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL MHG

ES1DL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHRFG

ES1DLHRFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHRQG

ES1DLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHRTG

ES1DLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHMHG

ES1DLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL RFG

ES1DL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DHM2G

ES1DHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL MTG

ES1DL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DL RVG

ES1DL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHM2G

ES1DLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES1DL RHG

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