TSM024NA04LCR RLG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM024NA04LCR RLG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM024NA04LCR RLG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-PDFN (5x6)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

TSM024NA04LCR RLGTR
TSM024NA04LCR RLGTR-ND
TSM024NA04LCRRLGTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4224pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 170A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

170A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM024NA04LCR RLG" -Einziper.

TSM-150-05-T-DV

Beschreibung: .025 SQ. TERMINAL STRIPS

Hersteller: Samtec, Inc.

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