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TSM038N03PQ33 RGG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM038N03PQ33 RGG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM038N03PQ33 RGG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-PDFN (3x3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 19A, 10V
Verlustleistung (max)

39W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

TSM038N03PQ33 RGGTR
TSM038N03PQ33 RGGTR-ND
TSM038N03PQ33RGGTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2557pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 78A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

78A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM038N03PQ33 RGG" -Einziper.

TSM055N03EPQ56 RLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

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