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59152761SS355-TP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

1SS355-TP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS355-TP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    80V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-323
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-76, SOD-323
  • Andere Namen
    1SS355-TPMSTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SOD-323
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io)
    100mA
  • Kapazität @ Vr, F
    3pF @ 6V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1SS355
1SS361FV,L3F(T

1SS361FV,L3F(T

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS352,H3F

1SS352,H3F

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS306TE85LF

1SS306TE85LF

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS361LPH4-7B

1SS361LPH4-7B

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1SS355WTE-17

1SS355WTE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS356TW11

1SS356TW11

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS307(TE85L,F)

1SS307(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Beschreibung:

Hersteller: ROHM
vorrätig
1SS315TPH3F

1SS315TPH3F

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS319(TE85L,F)

1SS319(TE85L,F)

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS361LP3-7

1SS361LP3-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1SS308(TE85L,F

1SS308(TE85L,F

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS361,LJ(CT

1SS361,LJ(CT

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS355 RRG

1SS355 RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS351-TB-E

1SS351-TB-E

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1SS360(T5L,F,T)

1SS360(T5L,F,T)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS309(TE85L,F)

1SS309(TE85L,F)

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS355TE-17

1SS355TE-17

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS361CT(TPL3)

1SS361CT(TPL3)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig

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