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63563171SS315TPH3F-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

1SS315TPH3F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS315TPH3F
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1SS315TPH3F.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    5V
  • Supplier Device-Gehäuse
    USC
  • Serie
    -
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-76, SOD-323
  • Andere Namen
    1SS315TPH3FCT
  • Betriebstemperatur
    125°C (TJ)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky - Single
  • detaillierte Beschreibung
    RF Diode Schottky - Single 5V 30mA USC
  • Strom - Max
    30mA
  • Kapazität @ Vr, F
    0.6pF @ 0.2V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1SS315

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Zahlung
Das Folgende sind "1SS315TPH3F" -Einziper.
1SS352,H3F

1SS352,H3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS355TE-17

1SS355TE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS355WTE-17

1SS355WTE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS355 RRG

1SS355 RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1SS302A,LF

1SS302A,LF

Beschreibung: DIODE SW 80V 100MA USM SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS306TE85LF

1SS306TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC61B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS302TE85LF

1SS302TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS308(TE85L,F

1SS308(TE85L,F

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS301SU,LF

1SS301SU,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS355-TP

1SS355-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS319(TE85L,F)

1SS319(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS300,LF

1SS300,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS307(TE85L,F)

1SS307(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS351-TB-E

1SS351-TB-E

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS356TW11

1SS356TW11

Beschreibung: DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS301,LF

1SS301,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS360(T5L,F,T)

1SS360(T5L,F,T)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS309(TE85L,F)

1SS309(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
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