2SA949-Y,F(J

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Spezifikation

Artikelnummer

2SA949-Y,F(J
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SA949-Y,F(J.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

150V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 1mA, 10A
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

TO-92MOD
Serie

-
Leistung - max

800mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Andere Namen

2SA949-YF(J
2SA949YFJ
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

120MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

50mA

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Das Folgende sind "2SA949-Y,F(J" -Einziper.

2SA949-Y,ONK-1F(J

Beschreibung: TRANS PNP 50MA 150V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

2SA949-Y,F(J

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