2SA965-Y(T6CANO,FM

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Spezifikation

Artikelnummer

2SA965-Y(T6CANO,FM
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SA965-Y(T6CANO,FM.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

120V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

LSTM
Serie

-
Leistung - max

900mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Andere Namen

2SA965-Y(T6CANOFM
2SA965YT6CANOFM
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

120MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 100mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

800mA

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Das Folgende sind "2SA965-Y(T6CANO,FM" -Einziper.

2SA949-Y,ONK-1F(M

Beschreibung: TRANS PNP 50MA 150V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

2SA965-Y(T6CANO,FM

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