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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > 2SK3566(STA4,Q,M)
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30216062SK3566(STA4,Q,M)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3566(STA4,Q,M)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SK3566(STA4,Q,M)
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220SIS
  • Serie
    π-MOSIV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.4 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    40W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    2SK3566(Q)
    2SK3566(STA4QM)
    2SK3566Q
    2SK3566Q-ND
    2SK3566STA4QM
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    470pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    900V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 900V 2.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.5A (Ta)
2SK3670(F,M)

2SK3670(F,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3546J0L

2SK3546J0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3703

2SK3703

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220ML

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3547G0L

2SK3547G0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK354700L

2SK354700L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3557-7-TB-E

2SK3557-7-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3565(Q,M)

2SK3565(Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3670(T6CANO,A,F

2SK3670(T6CANO,A,F

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3541T2L

2SK3541T2L

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V .1A VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
2SK3670,F(M

2SK3670,F(M

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

Beschreibung: JFET NCH 30V 200MW 3CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3662(F)

2SK3662(F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3546G0L

2SK3546G0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3539G0L

2SK3539G0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3670,F(J

2SK3670,F(J

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3670(T6CANO,F,M

2SK3670(T6CANO,F,M

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 30V 0.2W CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

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