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70022782SK3666-3-TB-E-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SK3666-3-TB-E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SK3666-3-TB-E
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    2SK3666-3-TB-E.pdf
  • Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id
    180mV @ 1µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    3-CP
  • Serie
    -
  • Resistance - RDS (on)
    200 Ohms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    869-1107-1
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP
  • Aktuelle Drain (Id) - Max
    10mA
  • Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0)
    1.2mA @ 10V
  • Basisteilenummer
    2SK3666

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2SK3703-1E

2SK3703-1E

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3662(F)

2SK3662(F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK3670,F(J

2SK3670,F(J

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 30V 0.2W CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3703

2SK3703

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220ML

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3565(Q,M)

2SK3565(Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK3670,F(M

2SK3670,F(M

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK3670(F,M)

2SK3670(F,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK3566(STA4,Q,M)

2SK3566(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK3546J0L

2SK3546J0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SK3670(T6CANO,A,F

2SK3670(T6CANO,A,F

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3557-7-TB-E

2SK3557-7-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3703-1EX

2SK3703-1EX

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK3670(T6CANO,F,M

2SK3670(T6CANO,F,M

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK3547G0L

2SK3547G0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SK354700L

2SK354700L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SK3704

2SK3704

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220ML

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

Beschreibung: JFET NCH 30V 200MW 3CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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