Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays > HN1C01FU-Y(T5L,F,T

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

741482

HN1C01FU-Y(T5L,F,T-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HN1C01FU-Y(T5L,F,T.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ

2 NPN (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

US6
Serie

-
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

HN1C01FU-Y(T5LFTTR
Betriebstemperatur

125°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

80MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

150mA

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "HN1C01FU-Y(T5L,F,T" -Einziper.

HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C01FE-GR,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C01FE-Y,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04FE-GR,LF

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C01FYTE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04FU-Y,LF

Beschreibung: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D01FU,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04FU-GR,LF

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04FE-Y,LF

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D02FU,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C01FU-GR,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D03FTE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.