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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays > HN1C01FYTE85LF

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HN1C01FYTE85LF-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

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Spezifikation

Artikelnummer

HN1C01FYTE85LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HN1C01FYTE85LF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ

2 NPN (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SM6
Serie

-
Leistung - max

300mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SC-74, SOT-457
Andere Namen

HN1C01FYTE85LFDKR
Betriebstemperatur

125°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

80MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

150mA

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Das Folgende sind "HN1C01FYTE85LF" -Einziper.

HN1D01FU,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C01FE-Y,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04FE-Y,LF

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D03FU,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04FU-GR,LF

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04FE-GR,LF

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D03FTE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1B04FU-Y,LF

Beschreibung: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1D02FU,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C01FE-GR,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN1C01FU-GR,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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