RN1101MFV,L3F

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1101MFV,L3F
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1101MFV,L3F.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

VESM
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Andere Namen

RN1101MFV,L3F(B
RN1101MFV,L3F(T
RN1101MFVL3FTR
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN1101MFV,L3F" -Einziper.

RN1101,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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