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2651869RN1101MFV,L3F-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1101MFV,L3F
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN1101MFV,L3F.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    VESM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    4.7 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-723
  • Andere Namen
    RN1101MFV,L3F(B
    RN1101MFV,L3F(T
    RN1101MFVL3FTR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    30 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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Das Folgende sind "RN1101MFV,L3F" -Einziper.
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

Beschreibung: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RN104PJ390CS

RN104PJ390CS

Beschreibung: RES ARRAY 4 RES 39 OHM 0804

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

Beschreibung: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1101CT(TPL3)

RN1101CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN104PJ3R0CS

RN104PJ3R0CS

Beschreibung: RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

Beschreibung: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN104PJ620CS

RN104PJ620CS

Beschreibung: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
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RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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RN104PJ472CS

RN104PJ472CS

Beschreibung: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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