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3135763RN1102T5LFT-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102T5LFT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1102T5LFT
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN1102T5LFT.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SSM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-75, SOT-416
  • Andere Namen
    RN1102T5LFTCT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    50 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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Das Folgende sind "RN1102T5LFT" -Einziper.
RN1103ACT(TPL3)

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1104T5LFT

RN1104T5LFT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

Beschreibung: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1104,LF(CT

RN1104,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

Beschreibung: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1101CT(TPL3)

RN1101CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

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RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

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RN1104CT(TPL3)

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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