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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN1103ACT(TPL3)

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RN1103ACT(TPL3)-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103ACT(TPL3)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1103ACT(TPL3)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1103ACT(TPL3).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

CST3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-101, SOT-883
Andere Namen

RN1103ACT(TPL3)TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

80mA

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Das Folgende sind "RN1103ACT(TPL3)" -Einziper.

RN1104T5LFT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1101,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1103,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1104CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1102,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1101MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1105,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1102MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1102CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1101CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1103MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1104,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1104MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1103CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1102T5LFT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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