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RN1114MFV,L3F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1114MFV,L3F
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN1114MFV,L3F.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    VESM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    1 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-723
  • Andere Namen
    RN1114MFVL3F
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    50 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1117MFV,L3F

RN1117MFV,L3F

Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1111CT(TPL3)

RN1111CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN111PC

RN111PC

Beschreibung: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Hersteller: Conxall / Switchcraft
vorrätig
RFQ
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

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