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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN1117(T5L,F,T)

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RN1117(T5L,F,T)-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1117(T5L,F,T)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1117(T5L,F,T).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SSM
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-75, SOT-416
Andere Namen

RN1117(T5LFT)CT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN1117(T5L,F,T)" -Einziper.

RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1117MFV,L3F

Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

Beschreibung: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1115,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN112-0.5-02-15M

RN112-0.5-02-15M

Beschreibung: CMC 15MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1113CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN111PC

Beschreibung: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Hersteller: Conxall / Switchcraft

vorrätig

RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN112-0.4-02

Beschreibung: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN112-0.4-02-39M

RN112-0.4-02-39M

Beschreibung: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN112-0.5-02

Beschreibung: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1115MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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