Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN1115MFV,L3F
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
508895RN1115MFV,L3F-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115MFV,L3F

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
8000+
$0.027
16000+
$0.023
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1115MFV,L3F
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    VESM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    2.2 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-723
  • Andere Namen
    RN1115MFV,L3F(B
    RN1115MFV,L3F(T
    RN1115MFVL3FTR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    50 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

Beschreibung: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN111PC

RN111PC

Beschreibung: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Hersteller: Conxall / Switchcraft
vorrätig
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN112-0.4-02

RN112-0.4-02

Beschreibung: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1117MFV,L3F

RN1117MFV,L3F

Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden