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3892924RN2304(TE85L,F)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2304(TE85L,F)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN2304(TE85L,F)
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN2304(TE85L,F).pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    USM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Andere Namen
    RN2304(TE85LF)DKR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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RN2308(TE85L,F)

RN2308(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2305(TE85L,F)

RN2305(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2301,LF

RN2301,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN222-2.5-02-5M6

RN222-2.5-02-5M6

Beschreibung: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN222-4-02-3M3

RN222-4-02-3M3

Beschreibung: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN2311(TE85L,F)

RN2311(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2310,LF

RN2310,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2306,LF

RN2306,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN222-3-02-4M5

RN222-3-02-4M5

Beschreibung: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN2302,LF

RN2302,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN222-4-02

RN222-4-02

Beschreibung: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN2313(TE85L,F)

RN2313(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2312(TE85L,F)

RN2312(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN222-3-02

RN222-3-02

Beschreibung: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
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RFQ
RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

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RN2303(TE85L,F)

RN2303(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN222-2.5-02

RN222-2.5-02

Beschreibung: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
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RN222-2-02-6M8

RN222-2-02-6M8

Beschreibung: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
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RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

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RN2307(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

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