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RN2305(TE85L,F)-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2305(TE85L,F)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN2305(TE85L,F)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN2305(TE85L,F).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

USM
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

RN2305(TE85LF)DKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN2305(TE85L,F)" -Einziper.

RN2301,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN222-4-02-3M3

Beschreibung: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2304(TE85L,F)

RN2304(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2303(TE85L,F)

RN2303(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2314(TE85L,F)

RN2314(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN222-4-02

Beschreibung: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2310,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2311(TE85L,F)

RN2311(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN222-3-02-4M5

Beschreibung: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2313(TE85L,F)

RN2313(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN222-2.5-02

Beschreibung: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2312(TE85L,F)

RN2312(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2307(TE85L,F)

RN2307(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2306,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN222-3-02

Beschreibung: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2308(TE85L,F)

RN2308(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2302,LF

RN2302,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN222-2.5-02-5M6

RN222-2.5-02-5M6

Beschreibung: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

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