RN2301,LF

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Spezifikation

Artikelnummer

RN2301,LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN2301,LF.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

USM
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

RN2301(TE85L,F)
RN2301(TE85LF)
RN2301(TE85LF)-ND
RN2301(TE85LF)TR
RN2301(TE85LF)TR-ND
RN2301,LF(B
RN2301,LF(T
RN2301LFTR
RN2301TE85LF
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

RN230*

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Das Folgende sind "RN2301,LF" -Einziper.

RN2305(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN2301,LF

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