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422981SSM6J214FE(TE85L,F-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J214FE(TE85L,F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SSM6J214FE(TE85L,F
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SSM6J214FE(TE85L,F.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ES6
  • Serie
    U-MOSVI
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    500mW (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    SSM6J214FE(TE85LFDKR
  • Betriebstemperatur
    150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    560pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.9nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.6A (Ta)

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Das Folgende sind "SSM6J214FE(TE85L,F" -Einziper.
SSM6322ACPZ-RL

SSM6322ACPZ-RL

Beschreibung: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP

Hersteller: ADI (Analog Devices, Inc.)
vorrätig
RFQ
SSM6J503NU,LF(T

SSM6J503NU,LF(T

Beschreibung: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6J409TU(TE85L,F

SSM6J409TU(TE85L,F

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6J213FE(TE85L,F

SSM6J213FE(TE85L,F

Beschreibung: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6J215FE(TE85L,F

SSM6J215FE(TE85L,F

Beschreibung: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6322CP-EBZ

SSM6322CP-EBZ

Beschreibung: EVAL BOARD FOR 24 LEAD LFCSP

Hersteller: ADI (Analog Devices, Inc.)
vorrätig
RFQ
SSM6J206FE(TE85L,F

SSM6J206FE(TE85L,F

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6J212FE,LF

SSM6J212FE,LF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6J414TU,LF

SSM6J414TU,LF

Beschreibung: MOSFET P CH 20V 6A UF6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6J501NU,LF

SSM6J501NU,LF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6J50TU,LF

SSM6J50TU,LF

Beschreibung: X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6J216FE,LF

SSM6J216FE,LF

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6322ACPZ-R7

SSM6322ACPZ-R7

Beschreibung: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP

Hersteller: ADI (Analog Devices, Inc.)
vorrätig
RFQ
SSM6J207FE,LF

SSM6J207FE,LF

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6J507NU,LF

SSM6J507NU,LF

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6H19NU,LF

SSM6H19NU,LF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6J502NU,LF(T

SSM6J502NU,LF(T

Beschreibung: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6322ACPZ-R2

SSM6322ACPZ-R2

Beschreibung: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP

Hersteller: ADI (Analog Devices, Inc.)
vorrätig
RFQ
SSM5N16FUTE85LF

SSM5N16FUTE85LF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.1A USV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6J505NU,LF

SSM6J505NU,LF

Beschreibung: MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
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