SSM6J215FE(TE85L,F

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM6J215FE(TE85L,F
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM6J215FE(TE85L,F.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ES6
Serie

U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max)

500mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

SSM6J215FE(TE85LFCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 3.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.4A (Ta)

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Das Folgende sind "SSM6J215FE(TE85L,F" -Einziper.

SSM6322CP-EBZ

Beschreibung: EVAL BOARD FOR 24 LEAD LFCSP

Hersteller: ADI (Analog Devices, Inc.)

vorrätig

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