SSM6J212FE,LF

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM6J212FE,LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SSM6J212FE,LF.pdf
2.SSM6J212FE,LF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ES6
Serie

U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

40.7 mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max)

500mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

SSM6J212FE(TE85L,F
SSM6J212FE(TE85LFTR
SSM6J212FE(TE85LFTR-ND
SSM6J212FE,LF(CA
SSM6J212FELF
SSM6J212FELFTR
SSM6J212FETE85LF
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.1nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Ta)

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Das Folgende sind "SSM6J212FE,LF" -Einziper.

SSM6J216FE,LF

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM6J212FE,LF

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