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TJ60S04M3L(T6L1,NQ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TJ60S04M3L(T6L1,NQ
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.TJ60S04M3L(T6L1,NQ.pdf
    2.TJ60S04M3L(T6L1,NQ.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +10V, -20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK+
  • Serie
    U-MOSVI
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.3 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    90W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    TJ60S04M3L(T6L1NQ
    TJ60S04M3LT6L1NQ
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    6510pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    125nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 40V 60A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    60A (Ta)

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Das Folgende sind "TJ60S04M3L(T6L1,NQ" -Einziper.
AUIRL7736M2TR

AUIRL7736M2TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 112A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRF2805STRRPBF

IRF2805STRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
TPN1600ANH,L1Q

TPN1600ANH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
STP4NK50Z

STP4NK50Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
NVMFS5C404NLAFT1G

NVMFS5C404NLAFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFP470

IRFP470

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FDS6162N3

FDS6162N3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NX7002AKAR

NX7002AKAR

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V TO-236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
AOB1608L

AOB1608L

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A TO263

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IRFU9310PBF

IRFU9310PBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TJ60S06M3L(T6L1,NQ

TJ60S06M3L(T6L1,NQ

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
IRF7815TRPBF

IRF7815TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AOV20S60

AOV20S60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
FQAF65N06

FQAF65N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 49A TO-3PF

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXFK24N100

IXFK24N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
SI1032R-T1-E3

SI1032R-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FDV303N_NB9U008

FDV303N_NB9U008

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPB180P04P4L02ATMA1

IPB180P04P4L02ATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FQP58N08

FQP58N08

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 57.5A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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