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TK10V60W,LVQ

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Spezifikation

Artikelnummer

TK10V60W,LVQ
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK10V60W,LVQ.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.7V @ 500µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

4-DFN-EP (8x8)
Serie

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 4.9A, 10V
Verlustleistung (max)

88.3W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

4-VSFN Exposed Pad
Andere Namen

TK10V60W,LVQ(S
TK10V60WLVQTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 9.7A (Ta) 88.3W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.7A (Ta)

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Das Folgende sind "TK10V60W,LVQ" -Einziper.

TK11A50D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK10V60W,LVQ

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