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2725271TK1K9A60F,S4X-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

TK1K9A60F,S4X

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TK1K9A60F,S4X
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TK1K9A60F,S4X.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 400µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220SIS
  • Serie
    U-MOSIX
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9 Ohm @ 1.9A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    30W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    TK1K9A60F,S4X(S
    TK1K9A60FS4X
    TK1K9A60FS4X(S
  • Betriebstemperatur
    150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    Not Applicable
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    490pF @ 300V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.7A (Ta)

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Das Folgende sind "TK1K9A60F,S4X" -Einziper.
TK1K2A60F,S4X

TK1K2A60F,S4X

Beschreibung: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK16N60W,S1VF

TK16N60W,S1VF

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 15.8A TO247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK19A45D(STA4,Q,M)

TK19A45D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK16E60W5,S1VX

TK16E60W5,S1VX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK16J60W,S1VQ

TK16J60W,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK1905800000G

TK1905800000G

Beschreibung: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Hersteller: Anytek (Amphenol Anytek)
vorrätig
RFQ
TK16C60W,S1VQ

TK16C60W,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK18A50D(STA4,Q,M)

TK18A50D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK16G60W,RVQ

TK16G60W,RVQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK17A80W,S4X

TK17A80W,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK1881

TK1881

Beschreibung: ART TAPE KIT

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
TK17E65W,S1X

TK17E65W,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK16E60W,S1VX

TK16E60W,S1VX

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK17N65W,S1F

TK17N65W,S1F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK16A60W5,S4VX

TK16A60W5,S4VX

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK16V60W,LVQ

TK16V60W,LVQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK18E10K3,S1X(S

TK18E10K3,S1X(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK17E80W,S1X

TK17E80W,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK1705800000G

TK1705800000G

Beschreibung: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Hersteller: Anytek (Amphenol Anytek)
vorrätig
RFQ
TK1805800000G

TK1805800000G

Beschreibung: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Hersteller: Anytek (Amphenol Anytek)
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