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6547831TK19A45D(STA4,Q,M)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

TK19A45D(STA4,Q,M)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TK19A45D(STA4,Q,M)
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220SIS
  • Serie
    π-MOSVII
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    50W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    TK19A45D(STA4QM)
    TK19A45DSTA4QM
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2600pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    450V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 450V 19A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    19A (Ta)
TK18A50D(STA4,Q,M)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS

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Beschreibung: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

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TK16N60W,S1VF

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Beschreibung: MOSFET N CH 600V 15.8A TO247

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