TK35E08N1,S1X

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

50+

$1.07

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

TK35E08N1,S1X
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK35E08N1,S1X.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 300µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Verlustleistung (max)

72W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

TK35E08N1,S1X(S
TK35E08N1S1X
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 55A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

55A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Wir haben langfristige Partnerschaften mit wichtigen globalen Logistikanbietern eingerichtet, die flexible und effiziente Versandlösungen anbieten, die auf Ihre einzigartigen Anforderungen zugeschnitten sind.Abhängig von der Größe, dem Gewicht und dem Ziel Ihrer Bestellung wählen wir den am besten geeigneten Versandunternehmen.Wir bieten auch Echtzeit-Logistikverfolgungsdienste an und ermöglichen es den Kunden, den Standort und den Status ihrer Waren jederzeit zu verstehen. Wenn Sie über bestimmte internationale Versandrouten oder einen bestimmten Spediteur verfügen, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam-wir berücksichtigen Ihre Anforderungen gerne.

Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "TK35E08N1,S1X" -Einziper.

TK380A60Y,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK35E08N1,S1X

Online-Anfrage

Referenzpreis (in US-Dollar)

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Kontrapunkt: Bis 2024 erreicht die globale Versand von CMOS...

Der 2nm-Chip von TSMC wird in der zweiten Jahreshälfte mit...

Starke Nachfrage nach analogen Chips, Texas Instruments Q2 ...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Institution: Der selbst entwickelte Chip von Apple wird vor...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

IBM -CEO warn

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics verbessert die Schlüssel -Chip -...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Globaler Halbleitertarifschub: Verschiebungen der Lief...

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache