TK39N60W5,S1VF

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Spezifikation

Artikelnummer

TK39N60W5,S1VF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK39N60W5,S1VF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.9mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247
Serie

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

74 mOhm @ 19.4A, 10V
Verlustleistung (max)

270W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

TK39N60W5,S1VF(S
TK39N60W5S1VF
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

38.8A (Ta)

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Das Folgende sind "TK39N60W5,S1VF" -Einziper.

TK39A60W,S4VX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK39N60W5,S1VF

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