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3459733

TK39J60W5,S1VQ-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK39J60W5,S1VQ

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Spezifikation

Artikelnummer

TK39J60W5,S1VQ
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK39J60W5,S1VQ.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.7V @ 1.9mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-3P(N)
Serie

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 19.4A, 10V
Verlustleistung (max)

270W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen

TK39J60W5,S1VQ(O
TK39J60W5S1VQ
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

38.8A (Ta)

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Das Folgende sind "TK39J60W5,S1VQ" -Einziper.

TK3A60DA(STA4,Q,M)

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK39A60W,S4VX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK380P60Y,RQ

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK3A65DA(STA4,QM)

TK3A65DA(STA4,QM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK35N65W5,S1F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK39J60W,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK39N60W,S1VF

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK35E08N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 55A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK380A60Y,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK3P50D,RQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK3A65D(STA4,Q,M)

TK3A65D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK39N60X,S1F

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK3R1E04PL,S1X

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK39N60W5,S1VF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK35N65W,S1F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK3R1A04PL,S4X

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK380P65Y,RQ

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK3A60DA(Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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