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TK7A65W,S5X-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A65W,S5X

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Spezifikation

Artikelnummer

TK7A65W,S5X
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK7A65W,S5X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220SIS
Serie

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

780 mOhm @ 3.4A, 10V
Verlustleistung (max)

30W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

TK7A65W,S5X(M
TK7A65WS5X
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 6.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.8A (Ta)

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TK7S10N1Z,LQ

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TK750A60F,S4X

Beschreibung: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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TK7A55D(STA4,Q,M)

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

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TK7P50D(T6RSS-Q)

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TK7A65D(STA4,Q,M)

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TK7A45DA(STA4,Q,M)

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TK7A50D(STA4,Q,M)

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