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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > TK7J90E,S1E

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5535011

TK7J90E,S1E-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK7J90E,S1E

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Spezifikation

Artikelnummer

TK7J90E,S1E
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK7J90E,S1E.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 700µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-3P(N)
Serie

π-MOSVIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max)

200W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen

TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

900V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 900V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Ta)

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Das Folgende sind "TK7J90E,S1E" -Einziper.

TK7A45DA(STA4,Q,M)

TK7A45DA(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7A90E,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7575

Beschreibung: SAFETY TAPE KIT-INDUST VERSION

Hersteller: 3M

vorrätig

TK7E80W,S1X

TK7E80W,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7Q60W,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7A60W,S4VX

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK72E08N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 80V 72A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK750A60F,S4X

Beschreibung: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7S10N1Z,LQ

TK7S10N1Z,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7A50D(STA4,Q,M)

TK7A50D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7P65W,RQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7A65D(STA4,Q,M)

TK7A65D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK72A12N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 72A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK72E12N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 120V 72A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7P60W,RVQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 7A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7P60W5,RVQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7A65W,S5X

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7P50D(T6RSS-Q)

TK7P50D(T6RSS-Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7A55D(STA4,Q,M)

TK7A55D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK7A60W5,S5VX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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