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TK7E80W,S1X

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TK7E80W,S1X
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TK7E80W,S1X.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 280µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220
  • Serie
    DTMOSIV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    950 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    110W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    TK7E80W,S1X(S
    TK7E80WS1X
  • Betriebstemperatur
    150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    700pF @ 300V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 6.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6.5A (Ta)

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TK7A60W5,S5VX

TK7A60W5,S5VX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7A55D(STA4,Q,M)

TK7A55D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7P60W,RVQ

TK7P60W,RVQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 7A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7575

TK7575

Beschreibung: SAFETY TAPE KIT-INDUST VERSION

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
TK7P50D(T6RSS-Q)

TK7P50D(T6RSS-Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7Q60W,S1VQ

TK7Q60W,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7J90E,S1E

TK7J90E,S1E

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V TO-3PN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7P60W5,RVQ

TK7P60W5,RVQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK750A60F,S4X

TK750A60F,S4X

Beschreibung: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK72E08N1,S1X

TK72E08N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 80V 72A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7P65W,RQ

TK7P65W,RQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK72E12N1,S1X

TK72E12N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 120V 72A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7A90E,S4X

TK7A90E,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7S10N1Z,LQ

TK7S10N1Z,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7A65D(STA4,Q,M)

TK7A65D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7A45DA(STA4,Q,M)

TK7A45DA(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK7A65W,S5X

TK7A65W,S5X

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK7A50D(STA4,Q,M)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS

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TK7A60W,S4VX

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Beschreibung: MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS

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TK72A12N1,S4X

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Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 72A TO-220

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