TPC8.2AHM3/87A

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Spezifikation

Artikelnummer

TPC8.2AHM3/87A
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPC8.2AHM3/87A.pdf
Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)

7.02V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp

12.1V
Spannung - Aufteilung (min.)

7.79V
Unidirektionale Kanäle

1
Art

Zener
Supplier Device-Gehäuse

TO-277A (SMPC)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PAR®, eSMP®
Stromleitungsschutz

No
Power - Peak Pulse

1500W (1.5kW)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-277, 3-PowerDFN
Betriebstemperatur

-65°C ~ 185°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)

124A
Kapazität @ Frequenz

-
Basisteilenummer

TPC*
Anwendungen

Automotive

Das Folgende sind "TPC8.2AHM3/87A" -Einziper.

TPC7.5AHM3_A/H

Beschreibung: TVS DIODE SMPC TO-277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

TPC8.2AHM3_A/H

Beschreibung: TVS DIODE SMPC TO-277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

TPC8.2AHM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

TPC7.5AHM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

TPC7.5AHM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

TPC7.5HM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 6.05VWM 11.7VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

TPC8.2HM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

TPC6901(TE85L,F,M)

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 6VS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC6113(TE85L,F,M)

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5A VS6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC6503(TE85L,F,M)

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC7.5AHM3_A/I

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

TPC8.2AHM3_A/I

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

TPC7.5HM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 6.05V 11.7V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

TPC8014(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8021-H(TE12LQ,M

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8026(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8.2HM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

TPC8018-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8022-H(TE12LQ,M

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8012-H(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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TPC7.5AHM3_A/H

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TPC8.2AHM3/86A

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