TPH8R80ANH,L1Q

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Spezifikation

Artikelnummer

TPH8R80ANH,L1Q
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPH8R80ANH,L1Q.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 500µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)

1.6W (Ta), 61W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPH8R80ANH,L1Q(M
TPH8R80ANHL1Q
TPH8R80ANHL1QTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 32A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

32A (Tc)

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Das Folgende sind "TPH8R80ANH,L1Q" -Einziper.

TPH8R903NL,LQ

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH8R80ANH,L1Q

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