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W632GG6AB-12

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W632GG6AB-12
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns
  • Uhrfrequenz
    800MHz
  • Zugriffszeit
    20ns
W632GG6KB-18

W632GG6KB-18

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W632GG6KB-12 TR

W632GG6KB-12 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W631GU8MB12I

W631GU8MB12I

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W631GU8MB15I

W631GU8MB15I

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W632GG6AB-15

W632GG6AB-15

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W631GU8MB15I TR

W631GU8MB15I TR

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W632GG6KB11I

W632GG6KB11I

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W631GU8MB12I TR

W631GU8MB12I TR

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W632GG6KB-11 TR

W632GG6KB-11 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W631GU8MB11I TR

W631GU8MB11I TR

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W632GG6KB-15

W632GG6KB-15

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W632GG6KB-15 TR

W632GG6KB-15 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W631GU8MB11I

W631GU8MB11I

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W631GU8MB-15

W631GU8MB-15

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W632GG6KB-09

W632GG6KB-09

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W632GG6KB-11

W632GG6KB-11

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W631GU8MB-12 TR

W631GU8MB-12 TR

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W631GU8MB-12

W631GU8MB-12

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W631GU8MB-15 TR

W631GU8MB-15 TR

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
W632GG6KB-12

W632GG6KB-12

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig

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