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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > W632GG6KB-12

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W632GG6KB-12-Bild.

Winbond Electronics Corporation

W632GG6KB-12

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vorrätig

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Spezifikation

Artikelnummer

W632GG6KB-12
Hersteller / Marke

Winbond Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

W632GG6KB-12.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.425 V ~ 1.575 V
Technologie

SDRAM - DDR3
Supplier Device-Gehäuse

96-WBGA (9x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

96-TFBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
Uhrfrequenz

800MHz
Zugriffszeit

20ns

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Das Folgende sind "W632GG6KB-12" -Einziper.

W632GG6KB-11

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB12I

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W631GU8MB12I TR

W631GU8MB12I TR

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W631GU8MB11I TR

W631GU8MB11I TR

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB-11 TR

W632GG6KB-11 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB12J

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB-12 TR

W632GG6KB-12 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB-09

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB12I TR

W632GG6KB12I TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB-15

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6AB-12

W632GG6AB-12

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W631GU8MB15I TR

W631GU8MB15I TR

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB-15 TR

W632GG6KB-15 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB-18

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W631GU8MB15I

W631GU8MB15I

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6AB-15

W632GG6AB-15

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB15I

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB11I

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W632GG6KB15I TR

W632GG6KB15I TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W631GU8MB12I

W631GU8MB12I

Beschreibung: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

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