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7059432W632GG6KB11I-Bild.Winbond Electronics Corporation

W632GG6KB11I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W632GG6KB11I
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W632GG6KB11I.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    96-WBGA (9x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    96-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
  • Uhrfrequenz
    933MHz
  • Zugriffszeit
    20ns

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W632GG6MB-12

W632GG6MB-12

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB15I

W632GG6KB15I

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB12I TR

W632GG6KB12I TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB-09

W632GG6KB-09

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB12I

W632GG6KB12I

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB-11 TR

W632GG6KB-11 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB-12

W632GG6KB-12

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6MB-09

W632GG6MB-09

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB-18

W632GG6KB-18

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB-12 TR

W632GG6KB-12 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB12J

W632GG6KB12J

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6AB-12

W632GG6AB-12

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB-15

W632GG6KB-15

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6MB-11 TR

W632GG6MB-11 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB15J

W632GG6KB15J

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6MB-11

W632GG6MB-11

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB15I TR

W632GG6KB15I TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W632GG6KB-11

W632GG6KB-11

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W632GG6KB-15 TR

W632GG6KB-15 TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W632GG6AB-15

W632GG6AB-15

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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